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    美國GE貝克休斯粗晶探頭WSY70-4

    產(chǎn)品型號: WSY70-4
    品  牌: 美國GE
    • ≧1 只
      ¥8800.00
    所 在 地: 廣東深圳
    更新日期: 2024-09-23
    詳細(xì)信息
    美國GE貝克休斯粗晶探頭WSY70-4

    主要特性
    •單晶探頭用于超聲脈沖的發(fā)射和接收 
    •通過水延遲通道進(jìn)行縱波或橫波的垂直或斜向掃描(非接觸測試)
    •完全不漏水的版本設(shè)計(jì),或者帶有固定的連接電纜,或者帶有水密封的連接插座(除Microdot外) 
    •牢固的金屬盒 
    •用通常采用的線聚焦和點(diǎn)聚焦方式增加了缺陷識別的能力 
    •使用具有較高頻率的聚合物探頭,從而對非常小的非均勻性具有非常高的探測能力。
     
    探頭分為兩大類:接觸式和水浸式
    接觸法探頭
    直探頭---單晶
    ·被檢測件有規(guī)則外形和相對光滑的接觸表面
    ·接觸面或平或曲
    ·缺陷或背反射平行于表面,可被垂直于表面的聲束探測
    ·適于穿透厚部件
    ·延遲塊用以提高近場分辨率
    ·需要耦合層,一般為凝膠,油類,漿糊
    ·通常用于手動(dòng)檢測
    直探頭--雙晶
    ·接受發(fā)射單元用串?dāng)_擋板分開
    ·缺陷或背反射平行于表面,可被垂直于表面的聲束探測
    ·近表面分辨率好,用于較薄部件
    ·需要耦合層,一般為凝膠,油類,漿糊
    ·通常用于手動(dòng)檢測
    斜探頭
    ·晶片安裝在內(nèi)置的或者可更換的斜塊上
    ·利用折射讓縱波或者橫波沿確定角度傳播
    ·大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)探頭通過模式轉(zhuǎn)換產(chǎn)生橫波
    ·適于傾斜缺陷的檢測,如焊縫
    ·有單晶探頭和雙晶探頭
    ·需要耦合層,一般為凝膠,油類,漿糊
    ·有時(shí)用于機(jī)械化或自動(dòng)化檢測

    水浸法探頭
    水浸探頭
    ·在水中匹配好,效率高
    ·適于具有不規(guī)則表面的被檢測件
    ·通常用于機(jī)械化或者自動(dòng)化檢測
    ·耦合一致性好,檢測重復(fù)性高
    ·大型零件可以采用探頭架,溢流法或者水射流法
    ·探頭聚焦可以增進(jìn)效果

    美國GE粗晶探頭 對于普通探頭,由于粗晶粒結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的噪聲幅度與小缺陷的回波幅度基本一致,這樣容易造成缺陷漏檢。所以,檢測粗晶材料時(shí)要選用特殊探頭。有些探頭可以檢測部分奧氏體焊縫,并得到一些滿意的結(jié)果,這主要取決于被檢測材料的聲學(xué)特性。
    具有可更換保護(hù)膜的直探頭 頻率(MHZ) 接觸面(mm) 尺寸Φ(mm)  
    K 0.5 S 0.5 40 34 高阻尼  
    K 1 S 1 40 34 高靈敏度
    K 1 SM 1 33 28 非常好的信噪比
    B 0.5 SL 0.5 40 34 非常好的靈敏度
    B 1 SL 1 40 34 高阻尼,高信噪比
    K 1 SC 1 30 24 復(fù)合材料壓電晶片
    K 1 SC 2 30 24 *好的靈敏度和信噪比
    縱波斜探頭—單晶系列,復(fù)合材料壓電晶片 頻率(MHZ) 接觸面(mm) 角度( °) 深度范圍 要求的探頭線
    WRY 45
    WRY 60
    WRY 70
    WSY 45-2
    WSY 60-2
    WSY 70-2
    WSY 45-4
    WSY 60-4
    WSY 70-4
    2
    2
    2
    2
    2
    2
    4
    4
    4
    48 x 25
    48 x 25
    48 x 25
    28 x 13
    28 x 13
    28 x 13
    28 x 13
    28 x 13
    28 x 13
    45
    60
    70
    45
    60
    70
    45
    60
    70
    5 – 100
    5 – 80
    5 – 55
    6 – 25
    4 – 20
    3 – 15
    3 – 30
    3 – 20
    2 - 15
    } MPKL 2

    } MPKL 2

    } MPKL 2
    雙晶系列縱波斜探頭—復(fù)合材料壓電晶片 頻率(MHZ) 接觸面(mm) 角度( °) 深度范圍  
    VRY 45
    VRY 60
    VRY 70
    VSY 45
    VSY 60
    VSY 70
    1,8
    1,8
    1,8
    4
    44
    53 x 29
    53 x 29
    53 x 29
    30 x 15
    30 x 15
    30 x 15
    45
    60
    70
    45
    60
    70
    15 – 70
    10 – 60
    5 – 45
    2 – 30
    1.5 – 20
    1.5 - 20
    } SEKL 2

    } SEKN 2
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